Tranzistors MOSFET IRF520N

0.80

Power MOSFET N-Channel TO-220
9.2A, 100V, 0.270 Ohm

Noliktavā 10 prece/-es

Kategorijas: ,

Apraksts

Tranzistors MOSFET IRF520N
Lauktranzistors (FET) ar izolētu aizvaru (gate) – MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
Power MOSFET N-Channel TO-220
9.2A, 100V, 0.270 Ohm

Transistor MOSFET IRF520N
Field-Effect Transistor (FET) with isolted gate – MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
Power MOSFET N-Channel TO-220
9.2A, 100V, 0.270 Ohm

Lauktranzistoriem (Field-Effect Transistor) ir labas pastiprinošās īpašības, liela ieejas pretestība un daudz mazāks paštrokšņu līmenis salīdzinājumā ar bipolārajiem tranzistoriem. Lauktranzistoru 3 izvadus sauc par izteci (S-source), noteci (D-drain) un aizvaru (G-gate).
Lauktranzistoru (FET) veidi: ar p-n pāreju vai ar izolētu aizvaru (MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).

Lauktranzistoros strāva sāk plūst no izteces (S) uz noteci (D), pievadot papildus strāvas spriegumu (U, volti(V)) aizvarā (G-gate).

Vairāk lasiet: orient.lv/arduino/elektrodalas/tranzistori

Atsauksmes

Pašlaik atsauksmju nav.

Uzraksti atsauksmi pirmais par “Tranzistors MOSFET IRF520N”

Jūsu e-pasta adrese netiks publicēta. Obligātie lauki ir atzīmēti kā *